高新技术企业
这种存储，有望成为DRAM的替代者？
来源:半导体行业观察
近日，英国兰开斯特大学物理与工程系的科学家发表了一篇论文，详细介绍了UltraRAM量产方面的突破。由于其极具吸引力的品质，研究人员多年来一直在考虑这种新型存储器类型，而最新的突破意味着硅晶片上的大规模生产可能在眼前。UltraRAM被描述为一种内存技术，它“将闪存等数据存储内存的非易失性与DRAM等工作内存的速度、能源效率和耐用性相结合。”
重要的是，硅上的UltraRAM可能是一种通用内存类型，有朝一日将满足PC和设备的所有内存需求（RAM和存储）。然而，我们已经看到一些类似的被预示的想法被搁置了。电阻式RAM、磁阻式RAM和相变存储器并没有产生一些初步报告所预见的影响。此外，我们已经看到英特尔的Optane内存技术填补了DRAM和存储之间的空白，但并未完全弥合鸿沟。英特尔去年这个时候推出了用于台式电脑的Optane解决方案。
UltraRAM背后的基础科学在于它利用了化合物半导体的独特特性，这通常用于光子器件，例如LED、激光器和红外探测器，现在可以在硅上批量生产。研究人员声称，最新的硅化身优于在砷化镓半导体硅片上测试的技术。
UltraRAM的一些推断数字是，它将提供“至少1,000年的数据存储时间”，其快速切换速度和编程擦除循环耐久性“比闪存好一百到一千倍”。将这些品质添加到类似DRAM的速度、能源效率和耐用性上，这种新颖的内存类型听起来很难让科技公司忽视。
如果您在上面几行之间阅读，您会发现UltraRAM旨在打破RAM和存储之间的鸿沟。因此，理论上，您可以将其用作一次性解决方案来满足这些当前单独的需求。在PC系统中，这意味着您将获得一大块UltraRAM，例如2TB，这将满足您的RAM和存储需求。
这种转变，如果它发挥其潜力，将是推动流行的内存处理趋势的好方法。毕竟，你的存储就是你的记忆——有了UltraRAM；它是相同的晶圆。当一个用例取得成功时，看到UltraRAM部署扩展到从服务器到PC，再到智能设备、控制台等，也就不足为奇了。新的内存技术是否足够快，可以将专业的快速内存类型排除在外，比如当代GDDR和HBM技术，还有待观察。
UltraRAM定价可能是另一个棘手的问题。如果它没有价格竞争力，那么它的潜在采用率和变革能力就会受到阻碍。这一经济因素还有待观察，但研究人员对UltraRAM的硅量产突破感到高兴，使其易于使用。
兰开斯特大学的研究人员表示，正在进行进一步的工作以提高质量、微调制造工艺以及实施和扩展UltraRAM设备。
这种存储，有望成为DRAM的替代者？
这种存储，有望成为DRAM的替代者？
来源:半导体行业观察
近日，英国兰开斯特大学物理与工程系的科学家发表了一篇论文，详细介绍了UltraRAM量产方面的突破。由于其极具吸引力的品质，研究人员多年来一直在考虑这种新型存储器类型，而最新的突破意味着硅晶片上的大规模生产可能在眼前。UltraRAM被描述为一种内存技术，它“将闪存等数据存储内存的非易失性与DRAM等工作内存的速度、能源效率和耐用性相结合。”
重要的是，硅上的UltraRAM可能是一种通用内存类型，有朝一日将满足PC和设备的所有内存需求（RAM和存储）。然而，我们已经看到一些类似的被预示的想法被搁置了。电阻式RAM、磁阻式RAM和相变存储器并没有产生一些初步报告所预见的影响。此外，我们已经看到英特尔的Optane内存技术填补了DRAM和存储之间的空白，但并未完全弥合鸿沟。英特尔去年这个时候推出了用于台式电脑的Optane解决方案。
UltraRAM背后的基础科学在于它利用了化合物半导体的独特特性，这通常用于光子器件，例如LED、激光器和红外探测器，现在可以在硅上批量生产。研究人员声称，最新的硅化身优于在砷化镓半导体硅片上测试的技术。
UltraRAM的一些推断数字是，它将提供“至少1,000年的数据存储时间”，其快速切换速度和编程擦除循环耐久性“比闪存好一百到一千倍”。将这些品质添加到类似DRAM的速度、能源效率和耐用性上，这种新颖的内存类型听起来很难让科技公司忽视。
如果您在上面几行之间阅读，您会发现UltraRAM旨在打破RAM和存储之间的鸿沟。因此，理论上，您可以将其用作一次性解决方案来满足这些当前单独的需求。在PC系统中，这意味着您将获得一大块UltraRAM，例如2TB，这将满足您的RAM和存储需求。
这种转变，如果它发挥其潜力，将是推动流行的内存处理趋势的好方法。毕竟，你的存储就是你的记忆——有了UltraRAM；它是相同的晶圆。当一个用例取得成功时，看到UltraRAM部署扩展到从服务器到PC，再到智能设备、控制台等，也就不足为奇了。新的内存技术是否足够快，可以将专业的快速内存类型排除在外，比如当代GDDR和HBM技术，还有待观察。
UltraRAM定价可能是另一个棘手的问题。如果它没有价格竞争力，那么它的潜在采用率和变革能力就会受到阻碍。这一经济因素还有待观察，但研究人员对UltraRAM的硅量产突破感到高兴，使其易于使用。
兰开斯特大学的研究人员表示，正在进行进一步的工作以提高质量、微调制造工艺以及实施和扩展UltraRAM设备。
