CMSL30R019SD采用TOLL-8封装，将新一代超结低阻技术与低寄生电感结构完美融合，以极致性能回应高效率、高频率、高可靠的市场渴求。
CMH30R019SD是一款300V 的N沟道功率 超结MOSFET，它以超结工艺的典型特点，低导通电阻、高开关频率，高功率密度以及宽安全工作区，帮助您轻松应对各类严苛的功率转换挑战。
CMH65N25凭借其250V/50A的高功率密度、69mΩ低导通电阻、优异的高速开关特性以及高雪崩能量强度，在电力电子领域展现出卓越的综合性能。
CMP45N30P是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的专有平面条带 DMOS 技术制造，具有优秀的RDS（ON）特性和低栅极电荷。
CMH80N25 N沟道增强型功率场效应管，以其250V的高漏源电压和80A的连续漏极电流能力，成为高压、大电流应用的理想选择。
