CMSA070N10是一款高性能N沟道功率场效应管（MOSFET），采用Cmos先进的SGT工艺制成，具有高频特性好，转换效率高的特点。
CMP107N20是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的SGT技术工艺生产，具有优秀的导通电阻RDS(ON)，是高频开关和同步整流的理想MOS，也非常适合用于电机驱动控制、电池管理、不间断电源、逆变器电源等等。
CMSC1653是一款采用场效应半导体先进沟槽工艺开发的N沟道型MOSFET产品，其最大特点是具有卓越的优值系数（FOM）。
CMH50N20是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的平面条纹DMOS技术和设计，提供优秀的RDS（ON），抗冲击能力强，广泛应用于逆变器电源和SMPS电源、UPS电源、电机驱动等电路中。
CMSA010N04是Cmos自己研发的栅极多层分割槽工艺制造的一款分离半导体器件。
