广东场效应半导体有限公司（简称Cmos）推出的CMSL007N04A 以单管400A的强悍载流能力、低至1mΩ (max) 的导通电阻，为您带来化繁为简的颠覆性设计体验。
CMSC3606 MOSFET以N+P “双管合一”的集成方式，为紧凑型大电流设计带来全新的解题思路。
CMSC075N04是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的SGT工艺技术和设计，提供卓越的RDS（ON）性能，同时最大限度降低功耗与散热。
CMSC040N04L 是广东场效应半导体（Cmos）推出的40V N沟道功率 MOSFET，专为高频、高效、空间受限的功率变换系统而生。
广东场效应半导体(Cmos）推出的CMSA075N04——一款屏蔽栅沟槽工艺的N-Channel功率MOSFET，凭借领先的导通与开关特性，正在成为高性能DC-DC转换、服务器电源管理及工业控制领域备受瞩目的标杆器件。
