CMSC3812是采用Cmos先进沟槽工艺开发的一款双N沟道低压增强型场效应管,具有30V漏源电压（VDS）,常温条件下20A漏极电流（ID）,具备能瞬间抵抗高达80A的高脉冲电流冲击性。
CMD65P02是采用Cmos先进沟槽工艺开发的一款P沟道低压增强型场效应管,具有-20V漏源电压（VDS）和-65A漏极电流（ID）（常温条件）,具有抵抗高达-260A的脉冲电流的高性能抗冲击性。
CMD031N03L是采用Cmos自己优化的栅极被分割改进型沟槽工艺制造的一款金属氧化物半导体场效应晶体管。
CMB044N10BMOS管是一款采用栅极分割改进型沟槽工艺设计的大功率FET，属于低电压大电流MOS，具有卓越的性能和广阔的应用市场。
CMP006N12是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的沟槽技术和设计，具有优秀的RDS（ON）和低栅极电荷QG。它可以用于多种电路应用中，如同步整流、逆变器、电机驱动等。
