CMSL30R019SD采用TOLL-8封装，将新一代超结低阻技术与低寄生电感结构完美融合，以极致性能回应高效率、高频率、高可靠的市场渴求。
CMP30R019SD 通过超结 + 一体化肖特基的架构，彻底摆脱了体二极管反向恢复的桎梏，让电源设计工程师敢于向更高频率、更高效率、更小体积的领域挺进。
CMH30R019SD是一款300V 的N沟道功率 超结MOSFET，它以超结工艺的典型特点，低导通电阻、高开关频率，高功率密度以及宽安全工作区，帮助您轻松应对各类严苛的功率转换挑战。
CMSV60R180S6ZD集成先进的超结技术，并采用先进的 DFN-8 8×8无引脚封装，为硬开关和软开关拓扑带来前所未有的性能平衡，助力工程师打造更小、更冷、更可靠的高频电源方案。
广东场效应半导体（简称Cmos）生产的屏蔽栅沟槽工艺系列中的CMSL008N03L，以0.8mΩ的极低电阻和逻辑电平兼容特性，为尖端应用量身打造功率核心。
