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IRF4905S：汽车电子优秀MOS
IRF4905S采用先进的沟槽技术和设计，提供优秀的RDS（ON）与低门电荷。这些优点，使它成为非常高效和可靠的MOS，可用于逆变器、电机驱动、直流转化等电路。因其良好的散热能力，非常适合用于汽车电子。
卓越的电气特性
IRF4905S的主要电气特性包括：
耐压：IRF4905S的耐压（BVDSS）为-60V。
电流能力：在25℃条件下，其最大连续漏极电流（ID）可达-90A。
高EAS：IRF4905S采用Cmos采用先进的沟槽技术和设计，EAS达到1150mJ，使其有很好的抗冲击能力，能保证产品的稳定和可靠。
低热阻：IRF4905S采用TO-263封装，具有良好的热管理性能，其结到壳的热阻（RθJC）为0.75℃/W，有很好的散热能力。
低导通电阻：在栅极电压（VGS）为10V时，IRF4905S的导通电阻（RDS(on)）最大为7.5mΩ。低导通电阻降低了导通状态下的损耗，提高了电路的能效，使得在使用中效率更高。
低VGS（th）：开启电压为-1~-2.5V，使其在较低驱动电压下，也能很好开启。
适用范围广泛
IRF4905S MOS管由于其优异的特性，适用于多种应用场景，包括不限于逆变器、电机驱动、直流转化等电路。因其良好的散热能力，非常适合用于汽车电子。MOS管的低热阻、低导通电阻直接影响工作时的温升、可靠性、能效，IRF4905S表现出色，能够很好地满足电路需求。
