CMP32N20P：电子镇流器的性价比之选

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电子镇流器（Electronic ballast），是镇流器的一种，是指采用电子技术驱动电光源，使之产生所需照明的电子设备。现代日光灯越来越多的使用电子镇流器，轻便小巧，甚至可以将电子镇流器与灯管等集成在一起，同时，电子镇流器通常可以兼具启辉器功能，故此又可省去单独的启辉器。电子镇流器还可以具有更多功能，比如可以通过提高电流频率或者电流波形（如变成方波）改善或消除日光灯的闪烁现象；也可通过电源逆变过程使得日光灯可以使用直流电源。

广东场效应半导体有限公司（Cmos）推出的CMP32N20P具有超高性价比。被广泛应用于电子镇流器、逆变器、伺服电机、LED灯等诸多领域，表现出卓越性能。下面就CMP32N20P系列MOSFET单个型号做简要介绍，以供广大用户参考。

封装形式

CMP32N20P MOSFET系列推出四种不同封装形式可供用户选择使用。具体如下：

CMP32N20P  TO-220      CMI32N20P   TO-262

CMB32N20P  TO-263      CMF32N20P  TO-220F

CMP32N20P电气特性包括：

耐压与电流能力：CMP32N20P是一款中压MOSFET，其耐压值（BVDSS）=200V，在TC=25℃条件下，最大连续漏极电流ID=32A。这使得CMP32N20P MOSFET在灯光控制、逆变电源等应用环境中具有广泛的应用空间。

EAS是单次雪崩期间所能承受的能量， CMP32N20P以Tc ≦ 150℃为极限条件，EAS可达到1000MJ，这使得该型号具有很强的抗冲击能力，尤其在以下情况下具有明显优势。以下几种情况是MOS管受雪崩冲击最常见的应用境况。

第一、在反激式网络中应用, MOSFET关断时会产生较大的电压尖峰；

第二、一些电源在输出短路时，初级线圈中会产生较大的电流，加上初级线圈电感的存在，器件就会有雪崩损坏的可能；

第三、电机的负载是感性负载，而启动和堵转过程中会产生极大的冲击电流；

常见防止雪崩损坏的方法：

第一、在变压器两端并接 RCD 吸收回路，降低反向尖峰电压；

第二、串联栅极电阻，抑制dv/dt ；

第三、可在DS间并接 RC 吸收回路以吸收反向尖峰电压；

第四、在电路设计时缩短器件之间距离，或者采用多层PCB板过孔连接，可降低寄生电感。

低开启电压：CMP32N20P MOSFET阈值电压（VGS(th)）不超过4V，使得驱动电路设计相对简单，甚至使用78XX系列单片机就可以驱动。简单的驱动电路，将会使电源网络集成性更高，电路相对简单，EMI干扰也会更小，使网络环境整体协调性更高。

优秀的热管理性能：CMP32N20P系列MOSFET热阻RθJC在0.78~2.51℃/W之间。低热阻值使该料在大电流、高功率的应用环境中非常合适。

理想的开关性能：影响MOSFET开关性能的主要参数是自身电容即Ciss、Coss和Crss，在MOS管电路应用中选择这三项参数较小的管子，会使电路整体性能更加稳定。下图是MOSFET结构电容分布，其中：

Ciss：Ciss是MOS管的输入电容Ciss=Cgs+Cgd，显然该参数影响着MOS管的VGS，因为驱动电路通电瞬间先给Ciss电容充电，当电容越大充电时间越长，导致VGS开启时间越长，较长时间使MOS管工作在线性区，MOS管在线性区时内阻RDS值很大，将会产生以下问题；第一、导致管子发热严重，可以通过热量公式，Q=I*I*R*T（其中，I是流过MOS管漏源极的电流，R是MOS管状态下的内阻）进行定性分析；第二、导致开关损耗越大，因为MOS管是一个高频率开关元器件，频率高达1MHZ以上,每次开关都会产生开关损耗，器件的损耗是开通过程中的损耗Eon和关闭过程中的损耗（Eoff），开关总损耗，Psw=(Eon+Eoff) ×开关频率。

Coss：对于软开关的应用，Coss非常重要，因为它可能引起电路的谐振。

Crss：Crss=Cgd，对于高频切换动作最有不良影响。为了提高器件高频特性，Cgd要愈低愈好。

以上是CMos CMP32N20P MOSFET系列产品之一，客户在应用中表现出优异性能。CMP32N20P系列MOSFET有四种不同封装形式，可以满足不同的网络环境使用。如需详细了解该料参数，请注册和登录广东场效应半导体有限公司官网：WWW.CMOSFET.COM