聊一聊CMD4003

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CMD4003是广东场效应有限公司在二零一九年推出的一款低电压P沟道场效应管，历经数年，该料凭借其卓越的电性特征已在包括汽车电子、小型家电、医疗美容等行业得到广泛应用。

封装形式

Cmos考虑到用户不同的使用场景，为CMD4003场效应管提供TO-252和TO-251两种不同封装形式可供选择，具体内部拓扑结构如下图所示：

耐压能力

CMD4003场效应管工作时最大额定电压VDS=-40V，属于一款低压MOS管，在栅极阈值电压VGS=-2.5V,工作温度Tc=25℃时，持续工作电流ID=27A，这使得它的驱动电路将会更简单，可以直接用单片机驱动，场效应管驱动电路变得更简单，避免了臃肿的驱动电路设计,PCBA板简洁小巧，体积尺寸更小。

理想的导通内阻

CMD4003 MOSFET在VGS=-10V条件下，内阻值RDS(ON)=20mΩ。内阻较低，在实际电路应用中因为电流的热效应导致MOS管不容易发热和本身电能损耗小。这一特点在电池保护方案中特别重要。

场效应管因为其结构决定了其栅极、源极、漏极两两之间存在电容，其开启和关闭就是给栅极电容充电和放电的过程，每一次充电和放电都需要时间，都造成电能损耗，伴随着MOS管产生热量。而MOS作为超高频率开关器件，栅极电容的大小对MOS管开关频率影响很大，在实际电路中，尤其在100KHZ高频率应用条件下大电容造成的电能损耗将很可观，而这些损耗的电能是通过MOS管热量最终损失。可想而知，100KHZ条件下，一定时间内，如果该电容足够大，损耗的电能转化成的热量足够是MOS管的温升很高容易造成热击穿甚至炸裂情况。所以，在高速高频应用环境中，这个参数一定要控制。

CMD4003 MOSFET CISS=2400Pf，容值比较小，所以才能完美适配高频的LED灯控，无人机控制，高端美容设备。

以上是对CMD4003 场效应管简单的介绍。从这颗料自身卓越的电性参数结合客户应用的电路环境，表现出了优异的性能。限于篇幅，就分享至此，如需详细了解参数和适配物料，请注册和登录广东场效应半导体有限公司官网：WWW.CMOSFET.COM自行下载和联系客服免费索取样品。

广东场效应半导体有限公司是一家拥有20多年市场经验集开发、设计、生产和销售的多业务、多维度经营的综合性半导体公司，具备半导体独立封测能力，具有自主创新的芯片设计能力，具有掩膜版专利技术等十多项专利发明和适用技术。产品已经覆盖汽车电子、通讯设备、工业控制、智能家居、消费类电子等诸多领域；产品应用在客户端，表现出卓越的性能，获得了市场的认可。

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