Cmos优势物料推选三：CMSA120P03A

>>CMSA120P03A详情页

摩尔定律是半导体行业发展的最大壁障，它从物理角度预测和定义了芯片发展的趋势和边界。场效应管作为电子电路基础芯片之一，其发展历程最为典型，足以说明半导体芯片的来龙和去脉。

场效应管于二十世纪六十年代被发明研制，历经六十多年发展，已然作为电力电子核心半导体器件得到广泛应用。其封装形式先后经历TO插件式、SOT贴片式、PDFN和TOLL大功率贴片。封装形式的演变是人类对产品需求的发展，从需求层面出发，要求携带方便，精巧而不笨重，所以小而精高集成性的封装是发展趋势；从节能角度，低电压大电流是未来需求的趋势，PDFN封装满足这两点需求。下图是某半导体研究机构统计的2010~2020近十年场效应管封装需求的变化趋势，很清楚的反映出，半导体市场对PDFN封装需求一直呈现上涨趋势，这也主要是这种封装自身的优异特性，显然，PDFN封装将会得到广泛应用。

CMSA120P03A是Cmos研制的一款沟槽型工艺P沟道场效应管，具有卓越的电性参数。

封装形式

CMSA120P03AMOSFET属于PDFN封装，为了拓展客户实际应用电路物料的兼容性，PDFN封装可以和SOP-8封装互相替代。具体内部拓扑结构如下图所示。

耐压和耐流能力

CMSA120P03A场效应管是一款低电压大电流P沟道场效应管，击穿电压为VDS=-30V，在Tc=25℃，MOS管将完全导通状态下，DS的持续工作电流ID=-150A,具有高功率输送能力，这种特性用在电机桥型驱动方案，高性能锂电池保护板以及LED灯控产品方面效果卓越,性能稳定。

低开启低内阻

CMSA120P03A是一款P沟道MOS管，从微观层面考虑，沟道电阻是受载流子（载流子分为电子和空穴）迁移率的影响。而空穴迁移率的大小仅为电子迁移率的1/3，在相同尺寸条件下，P沟道是N沟道内阻的3倍。然而，这种半导体固有的物理特性，并没阻止Cmos研发团队对优秀产品的追求。CMSA120P03A这款管子，在饱和状态时，导通内阻RDSON仅仅只有3.6mΩ，在电路应用中其导通损耗将变得非常小，应用在锂电保护板上效果极佳，稳定性极佳。再加上栅极开启电压Vgs=-2V，这使得其驱动电路异常简单，使得整个电路集成性更高。

CMSA120P03A是一款综合性能优越的场效应管，低导通损耗和低开启条件使其具有宽泛的应用环境，高功率输出能力能够轻松达到高效率的传递能力。在高性能锂电池保护板，LED灯控制器，无刷电机等领域已被广泛应用。当然它的应用电路不仅限于此，还有更多的应用场景等待开发。

广东场效应半导体有限公司是一家拥有20多年市场经验集开发、设计、生产和销售于一体，多业务、多维度经营的综合性半导体企业。具备半导体独立封测能力，具有芯片自主设计能力，具有掩膜版专利技术等几十项发明和使用专利技术。产品已经覆盖汽车电子、通讯设备、工业控制、智能家居、消费类电子等诸多领域；产品应用在客户端，表现出卓越的性能，获得了市场的认可。

时间在变，服务在变，唯一不变的就是品质。我们狠抓质量，始终坚信质量从源头抓起；匠心制造，严控每一颗产品；客户至上，保证交付的每一颗产品不出差错。我们历经二十四载，风雨兼程，只为做中国好MOS。