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宽应用优秀MOS：CMD060N10
CMD060N10是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的SGT工艺技术和设计，提供优秀的RDS(ON)、Qg、CISS，非常适合用于DC-DC电源、电源切换应用，开关控制，电机控制、LED控制等多种应用。
卓越的电气特性
CMD060N10的主要电气特性包括：
耐压：CMD060N10的耐压（BVDSS）为100V。
电流：在Tc=25℃条件下，其最大连续漏极电流（ID）是80A。
雪崩能量：CMD060N10采用先进的SGT技术，单次雪崩能量EAS为612mJ。
低热阻：CMD060N10采用TO-252封装，具有优秀的热管理性能，其结到壳的热阻（RθJC）为1.5℃/W。
低导通电阻：在栅极电压（VGS）为10V时，CMD060N10的导通电阻（RDS(on)）最大只有7mΩ。低导通电阻降低了导通状态下的损耗，能提高整体电路的能效。
低开关损耗：低QG、结电容，使其具有优越的开关性能，和低开关损耗。
适用范围广泛
CMD060N10优秀的性能，使其可以非常好的应用于多种电路，包括不限于DC-DC电源、电源切换应用，开关控制，电机控制、LED控制等多种应用。
通过优化半导体材料和制造工艺，Cmos成功地将这些优秀特性集成到CMD060N10中，使其在电路应用中表现出色。
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