中压优秀MOS：CMP107N20

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CMP107N20是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的SGT技术工艺生产，具有优秀的导通电阻RDS(ON)，是高频开关和同步整流的理想MOS，也非常适合用于电机驱动控制、电池管理、不间断电源、逆变器电源等等。

CMP107N20的主要电气特性包括： 

耐压能力：CMP107N20的耐压（BVDSS）为200V。

电流能力：在Tc=25℃条件下，其最大连续漏极电流（ID）是105A。

雪崩能量：CMP107N20采用（Cmos）先进的SGT技术工艺，100%雪崩测试，单次雪崩能量EAS为2311mJ，有很强的抗冲击能力。

低热阻：CMP107N20采用TO-220封装，具有优秀的热管理性能，其结到壳的热阻（RθJC）为0.42℃/W。

低导通电阻：在栅极电压（VGS）为10V时，CMP107N20的导通电阻（RDS(on)）最大只有10mΩ。低导通电阻能降低导通状态下的损耗，能提高整体电路的能效。

低开关损耗：低QG、结电容，使其具有优越的开关性能，和低开关损耗。

CMP107N20优秀的性能，使其可以非常好的应用于多种电路，包括不限于电池管理、不间断电源、高频开关和同步整流、电机驱动控制、逆变器电源等多种应用。

通过优化半导体材料和制造工艺，Cmos成功地将这些优秀特性集成到CMP107N20中，使其在电路应用中表现出色。