高效MOS：CMB180P04G

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CMB180P04G是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的沟槽工艺技术和设计，提供非常优秀的RDS（ON），非常适用于先进的高效开关应用，广泛应用于负载开关、电池保护电路、LED控制、电机控制等。是一款高效、可靠的优秀MOS管。

CMB180P04G的主要电气特性包括： 

耐压能力：CMB180P04G的耐压（BVDSS）为-40V。

电流能力：在Tc=25℃条件下，其最大连续漏极电流（ID）是 -180A。

雪崩能量：CMB180P04G采用Cmos先进的沟槽技术，100%雪崩能量测试，单次雪崩能量EAS为1152mJ。

低热阻：CMB180P04G采用TO-263封装，具有优秀的热管理性能，其结到壳的热阻（RθJC）为0.36℃/W。

低导通电阻：在栅极电压（VGS）为-10V时，CMB180P04G的导通电阻（RDS(on)）最大只有4.0mΩ。低导通电阻降低了导通状态下的损耗，能提高整体电路的能效，在产品应用中更高效。

低开关损耗：低QG、结电容，使其具有优越的开关性能，和低开关损耗。

CMB180P04G 由于其优异的特性，适用于多种应用电路，包括不限于负载开关、电池保护电路、LED控制、电机控制等。

MOS管的低热阻、低导通电阻直接决定管子工作时的低温升、高可靠性、高能效；低QG、低结电容，使管子有较好的开关特性及低开关损耗。通过优化半导体材料和制造工艺，Cmos成功地将这些优秀特性集成到CMB180P04G中，使其在电路应用中表现出色，能够在各种高应力环境下稳定工作。