CMD60R180S6ZD是采用Cmos先进的超级结工艺开发的一款N沟道功率场效应管（MOSFET），其特点具有高频特性好，反向快恢复时间短，并且具有HBM>2kV的静电或浪涌防护能力等。
逆变设备在电力工程和电子设备中有着广泛的应用基础，从大至千伏级别的超高压大型电力工程设备，到小至百伏小型开关电源中都会用到逆变设备或者逆变系统。
CMP1608A是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的沟槽技术工艺生产的，该工艺已被定制为最大限度减小导通电阻RDS(ON)，同时保持优越的开关性能。非常适合用于电池管理、不间断电源、开关控制、切换类电源、逆变器电源等多种应用。
CMP50N20是一款200V平面工艺N沟槽场效应管，这种工艺典型特点是抗冲击能力强和参数一致性表现好。
CMH25N50是使用Cmos先进的高压MOSFET工艺制造，旨在提供优良的RDS（ON）,非常适合于高效的切换模式电源和主动功率因数校正。可用于SMPS开关电源、UPS电源，非常适用于逆变器电源，有优秀的散热能力，很好的性价比。
