CMSA3R19是集成N沟道与P沟道于单一封装之中的双增强型场效应晶体管。采用DFN-8（5×6）紧凑型封装，凭借低导通电阻、低栅极电荷以及优化的热特性，成为中低压功率转换领域的理想开关器件。
CMS4953BDY 是一款由广东场效应半导体（Cmos）推出的双P沟道增强型功率MOSFET，采用标准的SOP-8表面贴装封装。
CMS35N03 是一款由Cmos（场效应半导体）推出的N沟道增强型功率MOSFET，专为中低压大电流功率管理与开关控制场景而设计。
CMP029N03A是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的SGT技术制造，具有优秀的RDS（ON）特性和低栅极电荷。
CMP048N04是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的SGT技术制造，具有优秀的RDS（ON）特性和低栅极电荷。
