随着电力电子技术的不断发展，各类分立器件应用已经非常广泛。金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），以其低功耗、高频率开关速度的特点在现代电路中得到大力发展。但是随着功率开关场效应晶体管朝着高频化发展，针对场效应开关管的驱动电路设计要求也愈来愈高。
CMD8N50是广东场效应半导体有限公司通过调研市场使用环境，有针对性的专门开发的一款高压小电流型应用半导体器件。
CMSA035N06L是一款60V SGT(Split Gate Trench)工艺 N沟槽场效应管，其漏源导通电阻RDS(ON)最大仅有3.3MΩ，其中关键性能指标／品质因数（FOM）的优化降低使其自身能量传送效率大幅提高。
CMP50N20是一款200V平面工艺N沟槽场效应管，这种工艺典型特点是抗冲击能力强和参数一致性表现好。
CMSA030N04是Cmos有一款采用PDFN封装的 N沟道的MOSFET。为了拓展客户实际应用电路物料的兼容性，PDFN封装可以和SOP-8封装互相替代
