CMB073N15是场效应半导体(Cmos)开发的一款具有“高能效、高功率密度、高可靠性”三重优势于一体的功率MOSFET，已成为电力电子、汽车电子、工业控制、可再生能源领域的理想选择。
CMD60R180S6ZD是采用Cmos先进的超级结工艺开发的一款N沟道功率场效应管（MOSFET），其特点具有高频特性好，反向快恢复时间短，并且具有HBM>2kV的静电或浪涌防护能力等。
逆变设备在电力工程和电子设备中有着广泛的应用基础，从大至千伏级别的超高压大型电力工程设备，到小至百伏小型开关电源中都会用到逆变设备或者逆变系统。
CMP1608A是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的沟槽技术工艺生产的，该工艺已被定制为最大限度减小导通电阻RDS(ON)，同时保持优越的开关性能。非常适合用于电池管理、不间断电源、开关控制、切换类电源、逆变器电源等多种应用。
CMP50N20是一款200V平面工艺N沟槽场效应管，这种工艺典型特点是抗冲击能力强和参数一致性表现好。
