CMSA60P06是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的沟槽工艺技术，可实现低导通电阻（RDS on），同时最大限度降低功耗与散热。
CMN1029M 是一款 P沟道增强型功率MOSFET，-100V耐压、-1.5A电流能力配合 SOT-23-3L 封装，适合空间受限的电源管理场景。
CMH90N30SD是广东场效应半导体（Cmos） 采用平面工艺设计生产的一款N沟道功率MOSFET，技术成熟，专为大功率开关应用而打造。
CMSC20P03是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的沟槽工艺技术和设计，提供卓越的RDS（ON）性能，同时最大限度降低功耗与散热。
CMH65N25凭借其250V/50A的高功率密度、69mΩ低导通电阻、优异的高速开关特性以及高雪崩能量强度，在电力电子领域展现出卓越的综合性能。
