Cmos推出的旗舰产品CMD150P03，以其 -30V耐压、-120A连续漏极电流、以及领先的6.5mΩ超低导通电阻（RDS(on)），为高密度、高效率功率解决方案树立全新标杆。
CMSA80P06A P沟道增强型场效应晶体管，是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的沟槽工艺技术和设计，具有优秀的RDS（ON）特性。
CMD75P02是一款采用先进沟槽工艺制造的高性能、低导通电阻P沟道功率MOSFET。
CMD078N03 MOSFET不仅是元件选择，更是设计理念的革新——以更少的能量损耗，实现更强的性能输出。
CMD042N04采用先进屏蔽删沟槽工艺技术的40V N沟道增强型MOSFET，专为应对严苛的现代功率应用挑战而设计。
