CMSA5950A是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的沟槽工艺技术，可实现低导通电阻（RDS on），同时最大限度降低功耗与散热。
广东场效应半导体(Cmos）推出的CMSA075N04——一款屏蔽栅沟槽工艺的N-Channel功率MOSFET，凭借领先的导通与开关特性，正在成为高性能DC-DC转换、服务器电源管理及工业控制领域备受瞩目的标杆器件。
CMSA3606——由广东场效应半导体（Cmos）推出的一款集成N沟道与P沟道的增强型功率MOSFET，凭借低导通电阻、快速开关能力和紧凑封装，成为同步整流、DC-DC转换和高速开关应用中的高性价比选择。
CMSA037N03是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的SGT工艺技术，可实现低导通电阻（RDS on），同时最大限度降低功耗与散热。
CMSA3R19是集成N沟道与P沟道于单一封装之中的双增强型场效应晶体管。采用DFN-8（5×6）紧凑型封装，凭借低导通电阻、低栅极电荷以及优化的热特性，成为中低压功率转换领域的理想开关器件。
