CMD609A 是Cmos（广东场效应半导体）推出的一款N+P 双芯片MOSFET，采用先进沟槽（Trench）工艺，封装为 TO-252-4L（D-PAK），两颗管芯漏极共片，非常适合半桥/H 桥拓扑。
CMDG65R245是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的碳化硅MOSFET技术开发而成。
CMDG65R500是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的碳化硅MOSFET技术开发而成。
CMH80N50FSD 是一款采用Planar工艺制成的 N沟道高压功率 MOSFET，具有优秀的dv/dt抗浪涌能力和优秀的体二极管反向恢复特性。
CMHG65R090是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的碳化硅MOSFET技术开发而成。
