CMP32N30P是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的专有平面条带 DMOS 技术制造，具有优秀的RDS（ON）特性和低栅极电荷。
CME6P03A是一款先进的P沟道增强型功率MOSFET，采用最新的半导体工艺技术制造，专为高效率、高可靠性和高频率的功率转换应用而设计。
CMH44N50SD以其高压、大电流、超低导通电阻的黄金组合，为工程师提供了突破传统功率密度和效率瓶颈的强大工具。
CMD046N04 凭借其低导通电阻、快速开关特性及坚固的可靠性，它已成为现代高效能电源管理、电机驱动及负载开关应用中的核心组件。
CMD30P03 PMOSFET在高端开关、同步整流和电机驱动等对效率要求苛刻的应用中具有不可替代的价值。
