CMDG65R245是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的碳化硅MOSFET技术开发而成。
CMDG65R500是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的碳化硅MOSFET技术开发而成。
CMH80N50FSD 是一款采用Planar工艺制成的 N沟道高压功率 MOSFET，具有优秀的dv/dt抗浪涌能力和优秀的体二极管反向恢复特性。
CMHG65R090是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的碳化硅MOSFET技术开发而成。
CMD40N10是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的沟槽制造工艺与设计，可实现优异的 RDS(ON) 值。
