CMSA100P04是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的沟槽工艺技术，可实现低导通电阻（RDS on），同时最大限度降低功耗与散热。
CMSA006N03L是广东场效应半导体推出的超高功率密度MOSFET，采用先进的沟槽工艺，是一款专为大众市场应用优化的高性能功率器件。
CMS8125B是一款基于Trench工艺制造的P沟道增强型MOSFET，采用SOP8表面贴装封装，专为电源管理、功率开关及负载控制等应用场景设计。
CMSC90P03是广东场效应半导体有限公司（Cmos），将先进的沟槽型MOSFET技术与低电阻封装相结合，实现了极低的RDS（ON），同时最大限度降低功耗与散热。
CMS4576是一款由广东场效应半导体有限公司推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的屏蔽栅沟槽SGT工艺技术制造，旨在为低压大电流应用场景提供极低的导通特征电阻和高效的开关性能。
