CMD078N03 MOSFET不仅是元件选择，更是设计理念的革新——以更少的能量损耗，实现更强的性能输出。
场效应半导体推出CMD03N03 MOSFET的旗舰级功率MOSFET，它不仅是参数的表率，更是攻克低压大电流应用挑战的终极解决方案。
CMD80P06A不仅仅是一个功率开关元件，更是优化系统能效、可靠性和功率密度的关键引擎。
CMD028N03 是一款高性能N沟道增强型MOSFET，采用先进的沟槽工艺制造，具备30V漏源电压（Vds）和150A连续漏极电流（Id）能力。
在锂电池保护中电路中，低功耗尤为重要。CMD1402低的饱和导通内阻（RDSON仅为4.1mΩ）实现了极低的功耗，使其在电路应用中，无论是静态待机状态还是动态工作过程均有效降低电池电能损耗。
