CMSC20P03是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的沟槽工艺技术和设计，提供卓越的RDS（ON）性能，同时最大限度降低功耗与散热。
CMSA180P04A是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的沟槽工艺技术，可实现低导通电阻（RDS on），同时最大限度降低功耗与散热。
CMSA90DP03是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的沟槽工艺技术，可实现低导通电阻（RDS on），同时最大限度降低功耗与散热。
CMS50P06是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的沟槽工艺技术，可实现低导通电阻（RDS on），同时最大限度降低功耗与散热。
CMU4435是一款P沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽技术，以低导通电阻和低栅极电荷为特点，适用于负载开关和PWM应用。
