CMH65R080SD MOSFET是采用场效应半导体先进的设计方案与封装工艺打造的一款超结工艺场效应晶体管。
CMH40N120T2是采用广东场效应半导体先进工艺开发的一款沟槽栅-场截止型功率器件（IGBT）
CMD028N03 是一款高性能N沟道增强型MOSFET，采用先进的沟槽工艺制造，具备30V漏源电压（Vds）和150A连续漏极电流（Id）能力。
CMP079N10 N沟道MOSFET，重塑高密度电源设计
CMD180P04 MOSFET是场效应半导体公司开发的一款效率极高的P沟道场效应晶体管。
