CMSA055DN06AU采用紧凑型DFN-8 5*6封装，特点是体积小而薄，集成度高，且不失良好的散热性，极大地缩减制板成本，应用此类封装将会很可观的实现降本增效。
传统MOSFET的瓶颈限制了您的设计潜力？是时候拥抱革新了！我们重磅推出采用先进超级结工艺的CMF65R360D MOSFET，为您带来颠覆性的性能飞跃！
CMD65R360D MOSFET——赋能高效电能转换，重塑功率密度极限
广东场效应半导体(简称Cmos)的CMSL008N06N沟道功率MOSFET，正是为要求严苛的低压、大电流应用而生！
CMH50N30是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的平面条纹DMOS技术和设计，提供优秀的RDS（ON），抗冲击能力强，广泛应用于逆变器电源和SMPS电源、UPS电源、电机驱动等电路中。
