CMD30P03 PMOSFET在高端开关、同步整流和电机驱动等对效率要求苛刻的应用中具有不可替代的价值。
CMD042N04采用先进屏蔽删沟槽工艺技术的40V N沟道增强型MOSFET，专为应对严苛的现代功率应用挑战而设计。
CMF65R380在低电磁干扰（EMI）和低开关损耗方面具有显著优势，非常适合各类开关切换模式电源、适配器电源、PFC电源等。
CMSA50NP06专为同步整流、电机驱动、电源转换等需要高效互补开关的应用场景而优化设计。
CMD085N04是Cmos推出的40V N沟道功率MOSFET，采用先进的低压沟槽分裂栅MOS技术，专为高效率、高密度功率转换应用而设计。
