CMSA035N06L是一款60V SGT(Split Gate Trench)工艺 N沟槽场效应管，其漏源导通电阻RDS(ON)最大仅有3.3MΩ，其中关键性能指标／品质因数（FOM）的优化降低使其自身能量传送效率大幅提高。
CMD4932是广东场效应有限公司推出的一款低压P沟道沟槽型功率场效应管。CMD4932具有卓越的稳定性，已在无刷电机、LED灯控、汽车电子等行业得到广泛应用。
CMF80R450P功率MOSFET，是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的超级结技术，实现非常低的内阻RDS(on)和栅极电荷QG。
CMF90R450Q功率MOSFET，是采用广东场效应半导体有限公司（CMOS）先进的超级结技术，实现非常低的电阻和栅极电荷。
CMH65R115P功率MOSFET，使用Cmos先进的超结技术，实现非常低的电阻和门电荷。采用优化的电荷耦合技术，可以提供高效率。具有超结MOS的各种优点，可以很容易快速地应用到新的和现有的电源设计中。
