碳化硅MOS：CMHG65R048
CMHG65R048碳化硅功率MOSFET器件，采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的碳化硅MOSFET技术开发而成。该器件在整个温度范围内具有极低的RDS（on），结合低电容和极高的开关操作频率，从而在频率、能效、系统尺寸和重量减轻等方面提升了应用性能。
在能源转换驱动全球产业升级的背景下，电力电子系统正迈向更高效率、更高功率密度与更高可靠性的时代。无论是光伏逆变、储能系统、充电桩还是工业电机驱动系统，都急需能够在高压、高频、高温工况下稳定运行的半导体器件。
CMHG65R048碳化硅功率MOSFET，具备上述优点，非常适用于逆变器，电动汽车充电装置、不间断电源、开关电源等。是一款高效、可靠的优秀MOS管。
卓越的电气特性
CMHG65R048的主要电气特性包括：
耐压能力：CMHG65R048的耐压（BVDSS）为650V。
电流能力：在Tc=25℃条件下，其最大连续漏极电流（ID）是44A。
高结温：CMHG65R048结温TJ达175℃。
低热阻：CMHG65R048采用TO-247封装，具有优秀的热管理性能，其结到壳的热阻（RθJC）为1℃/W。
低导通电阻：在栅极电压（VGS）为18V时，CMHG65R048的导通电阻（RDS(on)）最大只有63mΩ。低导通电阻降低了导通状态下的损耗，能提高整体电路的能效，在产品应用中更高效。
低开关损耗：低QG、结电容，使其具有优越的开关性能，和低开关损耗。
适用范围广泛
CMHG65R048 由于其优异的特性，适用于多种应用电路，包括不限于逆变器，电动汽车充电装置、不间断电源、开关电源等。并且在频率、能效、系统尺寸和重量减轻等方面表现突出。
MOS管的低热阻、低导通电阻直接决定管子工作时的低温升、高可靠性、高能效；低QG、低结电容，使管子有较好的开关特性及低开关损耗。通过优化半导体材料和制造工艺，Cmos成功地将这些优秀特性集成到CMHG65R048中，使其在电路应用中表现出色，能够在各种高应力环境下稳定工作。
