可靠MOS：CMF65R380

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CMF65R380是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos），先进超结技术的功率MOSFET，具有极低的导通电阻和栅极电荷。通过优化电荷耦合技术，该器件将提供更高的效率。这些用户友好的特性使CMF65R380在低电磁干扰（EMI）和低开关损耗方面具有显著优势，非常适合各类开关切换模式电源、适配器电源、PFC电源等。

CMF65R380的主要电气特性包括： 

耐压能力：CMF65R380的耐压（BVDSS）为650V。

电流能力：在Tc=25℃条件下，其最大连续漏极电流（ID）为11A。

雪崩能量：CMF65R380采用Cmos先进的超结技术，100%雪崩能量测试，单次雪崩能量EAS为75mJ。

低EMI：CMF65R380采用Cmos先进的超结技术，应用时具有低EMI、易通过EMC测试的特点。

低热阻：CMF65R380采用TO-220F封装，具有良好的热管理性能，其结到壳的热阻（RθJC）为4.1℃/W，有良好的散热能力。 

低导通电阻：在栅极电压（VGS）为10V时，CMF65R380的导通电阻（RDS(on)）最大为0.38Ω。低导通电阻能降低导通状态下的损耗，提高电路的能效，使得在开关电源电路应用中效率更高。

低开关损耗：低QG、较小的CISS，使其具有优越的开关性能，较小的开关损耗。

CMF65R380 由于其优异的特性，适用于多种开关切换电源、适配器电源、PFC等。MOS管的低热阻、低导通电阻直接决定管子工作时的低温升、高可靠性、高能效；低QG、低结电容，使管子有较好的开关特性及低开关损耗。

通过优化半导体材料和制造工艺，Cmos成功地将这些优秀特性集成到CMF65R380中，使其成为各种开关切换类电源应用中表现优秀的MOS。