突破能效界限，赋能高密度设计
CMD042N04 MOSFET，定义下一代功率转换
关键词：
042N04, MOSFET
40V, 4.4mΩ
高效
同步整流(VRM)
电机驱动
功率密度
在追求极致能效与功率密度的今天，每一处电路优化都至关重要。我们隆重推出 CMD042N04——一款采用先进屏蔽删沟槽工艺技术的40V N沟道增强型MOSFET，专为应对严苛的现代功率应用挑战而设计。它不仅是一个元器件，更是您提升产品性能、赢得市场竞争的关键钥匙。
一、关键参数分析
1. 超低导通损耗： 凭借卓越的工艺技术，在10V Vgs驱动下，导通电阻RDS(on)低至4.4mΩ（最大值）。这意味着更低的传导损耗，更高的整体系统效率，直接助力节能减排与续航提升。
2. 优异的开关性能： 优化的栅极电荷（Qg）与低寄生电容，确保了快速、干净的开关动作。这不仅降低了开关损耗，更能轻松驾驭高频场景应用；同时，简化了驱动电路设计，降低了因为环路过高的寄生参数导致的驱动波形失真风险。
3. 坚固可靠，稳健耐用： 产品具备优秀的雪崩能量（EAS）和卓越的体二极管动态特性，为系统应对异常电压尖峰和感性负载切换提供了坚实的保障，大幅提升系统鲁棒性与可靠性。
4. 节省空间，热管理卓越： 采用 TO-252（DPAK）封装，在紧凑的体积内实现了优异的电流通过能力（持续电流ID高达100A）。低热阻封装设计，助力热量高效导出，允许更小的散热器或更高功率密度布局。
二、应用领域
CMD042N04是以下高性能应用的理想选择：
1. 高端计算机与服务器： 主板CPU/GPU的多相VRM（电压调节模块） ，为核心处理器提供纯净、高效、瞬态响应极佳的动力。
2. 强劲动力系统： 电动工具、无人机、轻型电动汽车中的 电机驱动与控制，实现高效、平滑的扭矩输出。
3. 高效能源转换： 适用于通信电源、工业电源的同步整流及DC-DC转换电路，尤其是在12V/24V总线系统中，能最大化且最经济地提升效率。
4. 汽车电子： 符合严苛要求的电池管理系统（BMS）、车身电子、车载信息娱乐系统、辅助驾驶系统以及底盘等模块应用，提供可靠功率开关解决方案。
三、核心优势
1. 性能与成本的完美平衡： 在同类竞品中提供了极具性价比的 “毫欧成本” ，让您无需为顶尖性能支付过高溢价。
2. 设计简化： 优异的参数表现具有很大兼容性，允许工程师优化散热设计，减小PCB面积，加速产品研发周期，降低整体BOM成本。
3. 质量保证： 源自严格的品质管控体系与高可靠性标准，确保每一颗产品都能在长期运行中保持稳定表现。
四、立即选用
无论您是正在设计下一代数据中心电源、开发更强劲的便携设备，还是打造更可靠的汽车电子系统，CMD042N04 MOSFET都是您不容错过的性能引擎。
免责声明： 在实际设计应用中，请务必参考Cmos官方发布的最新版CMD042N04数据手册，并以手册参数为最终设计依据。
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