碳化硅MOS：CMHG65R090
CMHG65R090是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的碳化硅MOSFET技术开发而成。该器件在整个温度范围内均具备极低的RDS(on)特性，同时兼具低电容值与极高开关性能，从而在工作频率、能效、系统体积及重量缩减等方面显著提升应用性能。该器件非常适合应用于高效快速开关应用电源，包括逆变器、电动汽车充电器及不间断电源等。是一款高效、可靠的优秀MOS管。
卓越的电气特性
CMHG65R090的主要电气特性包括：
耐压能力：CMHG65R090的耐压（BVDSS）为650V。
电流能力：在Tc=25℃条件下，其最大连续漏极电流（ID）是60A。
雪崩能量：CMHG65R090采用Cmos先进的碳化硅工艺技术，100%雪崩能量测试，单次雪崩能量EAS为735mJ。
低热阻：CMHG65R090采用TO-247封装，具有优秀的热管理性能，其结到壳的热阻（RθJC）为0.6℃/W。
低导通电阻：在栅极电压（VGS）为18V时，CMHG65R090的导通电阻（RDS(on)）典型值是65mΩ；VGS为15V时，最大只有120mΩ。低导通电阻降低了导通状态下的损耗，能提高整体电路的能效，在产品应用中更高效。
低开关损耗：低QG、结电容，使其具有优越的开关性能，和低开关损耗。
适用范围广泛
CMHG65R090由于其优异的特性，此器件适用于多种应用电路，包括逆变器、电动汽车充电器及不间断电源等。
MOS管的低热阻、低导通电阻直接决定管子工作时的低温升、高可靠性、高能效；低QG、低结电容，使管子有较好的开关特性及低开关损耗。通过优化半导体材料和制造工艺，Cmos成功地将这些优秀特性集成到CMHG65R090中，使其在电路应用中表现出色，能够在各种高应力环境下稳定工作。
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