CMSA085DN06AU是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的SGT技术，具有非常出色的RDS（ON）。
CMSL107N20是一款N型场效应功率管，采用Cmos先进的栅裂工艺研发，优秀的高频特性、低导通内阻以及理想的散热性使其具有非常广泛的应用场景
CMF85R290R是采用Cmos先进超级结技术的功率MOSFET，实现非常低的导通电阻和栅极电荷，通过使用优化的电荷耦合技术，提供更高的效率。
CMH12N90功率MOSFET，采用Cmos的专有平面条形DMOS技术，改进了dv/dt能力，非常适合用于高效开关电源。
CMF10N80是一款综合性能优秀的N沟道高压功率MOSFET，采用Cmos先进的平面工艺制造，其核心优势是抗冲击性高、高频特性好、不可控造因素成的特性离散性小等优势，适用于开关电源（SMPS）、电机驱动、逆变储能及工业电磁阀小信号类应用等场景。
