CMD60R180S6ZD是采用Cmos先进的超级结工艺开发的一款N沟道功率场效应管（MOSFET），其特点具有高频特性好，反向快恢复时间短，并且具有HBM>2kV的静电或浪涌防护能力等。
CMSA070N10是一款高性能N沟道功率场效应管（MOSFET），采用Cmos先进的SGT工艺制成，具有高频特性好，转换效率高的特点。
CMP034N06是一款高性能的N沟道功率场效应管（MOSFET），采用先进的SGT工艺制成，具有优秀的电特性，适用于车载电子、电动工具、LED照明、不间断电源等大功率、高效率的开关场景。
CMB011N04L-7是一款高性能的N沟道功率场效应管（MOSFET），采用先进的SGT工艺制成，适用于高功率、高效率的开关场景。
CMSC3812是采用Cmos先进沟槽工艺开发的一款双N沟道低压增强型场效应管,具有30V漏源电压（VDS）,常温条件下20A漏极电流（ID）,具备能瞬间抵抗高达80A的高脉冲电流冲击性。
