CMH65N25凭借其250V/50A的高功率密度、69mΩ低导通电阻、优异的高速开关特性以及高雪崩能量强度，在电力电子领域展现出卓越的综合性能。
CMP45N30P是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的专有平面条带 DMOS 技术制造，具有优秀的RDS（ON）特性和低栅极电荷。
CMH80N25 N沟道增强型功率场效应管，以其250V的高漏源电压和80A的连续漏极电流能力，成为高压、大电流应用的理想选择。
CMP160N10是一款N沟道增强型沟槽工艺的功率MOSFET，其设计旨在满足高功率、高频率开关应用的苛刻要求。
场效应半导体超结系列的代表产品——CMH65R035SD，正是一款专为挑战极限而生的650V超级结MOSFET，为您的下一代高效电源系统提供强大助力。
