CMS50P06是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的沟槽工艺技术，可实现低导通电阻（RDS on），同时最大限度降低功耗与散热。
CMU4435是一款P沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽技术，以低导通电阻和低栅极电荷为特点，适用于负载开关和PWM应用。
CMSC6683凭借其低的导通电阻和高电流承载能力，是低压大电流高压侧开关应用的理想选择。
Cmos的旗舰产品CMD180P03，以其 -30V耐压、-150A电流和2.8mΩ超低导通电阻，为高密度、高效率功率解决方案树立新标杆。
CMD75P02是一款采用先进沟槽工艺制造的高性能、低导通电阻P沟道功率MOSFET。
