CMSC044N03是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的SGT工艺技术和设计，提供卓越的RDS（ON）性能，同时最大限度降低功耗与散热。
CMSA7418A是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的SGT工艺技术，可实现低导通电阻（RDS on），同时最大限度降低功耗与散热。
CMSA100P04是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的沟槽工艺技术，可实现低导通电阻（RDS on），同时最大限度降低功耗与散热。
CMSA006N03L是广东场效应半导体推出的超高功率密度MOSFET，采用先进的沟槽工艺，是一款专为大众市场应用优化的高性能功率器件。
CMS8125B是一款基于Trench工艺制造的P沟道增强型MOSFET，采用SOP8表面贴装封装，专为电源管理、功率开关及负载控制等应用场景设计。
