CMD30N10是采用Cmos沟槽工艺封测的一款N沟道增强型场效应晶体管。特点是，具有更低的闸间电容，拥有更优秀的开关特性，满足超高频率开关切换电路的应用。
CMSC1653是一款采用场效应半导体先进沟槽工艺开发的N沟道型MOSFET产品，其最大特点是具有卓越的优值系数（FOM）。
CMP073N15集合了低导通电阻、高耐压、低开关损耗 等多项特点，成为各种高效能电源系统和高功率应用的理想选择。
逆变设备在电力工程和电子设备中有着广泛的应用基础，从大至千伏级别的超高压大型电力工程设备，到小至百伏小型开关电源中都会用到逆变设备或者逆变系统。
CMH50N20是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的平面条纹DMOS技术和设计，提供优秀的RDS（ON），抗冲击能力强，广泛应用于逆变器电源和SMPS电源、UPS电源、电机驱动等电路中。
