CMSC20P03是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的沟槽工艺技术和设计，提供卓越的RDS（ON）性能，同时最大限度降低功耗与散热。
CMH65N25凭借其250V/50A的高功率密度、69mΩ低导通电阻、优异的高速开关特性以及高雪崩能量强度，在电力电子领域展现出卓越的综合性能。
CMSA180P04A是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的沟槽工艺技术，可实现低导通电阻（RDS on），同时最大限度降低功耗与散热。
CMSA90DP03是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的沟槽工艺技术，可实现低导通电阻（RDS on），同时最大限度降低功耗与散热。
CMS50P06是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的沟槽工艺技术，可实现低导通电阻（RDS on），同时最大限度降低功耗与散热。
