CMD90P03是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的封装工艺和技术，可实现低导通电阻（RDS on），同时最大限度降低功耗与散热。
CMD50P03 的功率器件，凭借其极低的导通电阻、无需电荷泵的独特优势以及卓越的汽车级可靠性，正在重新定义30V电压等级下的电源管理和电机控制方案。
CMD50P03A是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的高单元密度沟槽工艺，可实现低导通电阻（RDS on），同时最大限度降低功耗与散热。
CMF60R180S6ZD 不仅是一颗晶体管，更是为工程师提供的一套“效率与易用性”的完整解决方案。
CMU4435是一款P沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽技术，以低导通电阻和低栅极电荷为特点，适用于负载开关和PWM应用。
