CMD8447B采用Cmos先进的沟槽技术和设计，提供优秀的RDS（ON）与低门电荷，具有低导通损耗和低开关损耗，它可以高效用于多种应用电路中，包括不限于DC-DC直流变换器、逆变器、电机驱动、LED控制器等。
CMSA012N04L是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的SGT工艺技术和设计，提供优秀的RDS（ON），采用DFN-8 5x6封装，能够减小PCB板尺寸和提高空间利用率，是紧凑型DC-DC电源、高频切换电源、高能效电源、服务器和通用应用的同步整流设备的优秀MOS。
CMD079N10是采用Cmos半导体成熟工艺开发的一款综合性能优异的MOSFET,用在电源产品中的同步整流模块效果十分理想。
CMD5941采用Cmos先进的沟槽技术和设计，提供优秀的RDS（ON）与低门电荷，具有低导通损耗和低开关损耗，它可以高效用于多种应用电路中，包括不限于DC-DC直流变换器、逆变器、电机驱动等。
CMD65R380Q功率MOSFET，使用Cmos先进的超结技术，提供优秀的RDS(ON)和极低门电荷。
