CMD052N10是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的SGT制造工艺与设计，可实现优异的 RDS(ON) 值。
2SK2313L是一款采用先进平面工艺制造的低压MOSFET，其特点具有传统平面结构的优势，相对Trench结构，具有更大Die尺寸，功率密度相对低，优异的散热性，高雪崩能量以及良好的线性工作特点等优势。
CMD40N10是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的沟槽制造工艺与设计，可实现优异的 RDS(ON) 值。
CMSC160P04属于P 沟道功率 MOSFET，采用先进SGT（屏蔽栅沟槽）工艺，具有极低的导通电阻。
CMB6006是由广东场效应半导体（Cmos）采用 SGT工艺制造的硅 P-型 MOSFET，最大的优势就是SGT工艺的高频特性、低阻抗特性以及外延层高温稳定性。
