CMS4953BDY 是一款由广东场效应半导体（Cmos）推出的双P沟道增强型功率MOSFET，采用标准的SOP-8表面贴装封装。
CMS4576是一款由广东场效应半导体有限公司推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的屏蔽栅沟槽SGT工艺技术制造，旨在为低压大电流应用场景提供极低的导通特征电阻和高效的开关性能。
CMS35N03 是一款由Cmos（场效应半导体）推出的N沟道增强型功率MOSFET，专为中低压大电流功率管理与开关控制场景而设计。
CMS4435 凭借其 -30V耐压、毫欧级内阻、P沟道逻辑友好的特性，成为了电子工程师工具箱中解决高边开关问题的“瑞士军刀”。
CMN6385AM是由Cmos（广东场效应半导体有限公司）推出的一款P沟道功率MOSFET，采用SOT-23-3LSMT封装，具备60V漏源耐压和3.5A连续漏极电流的承载能力。
