CMN5N20是一款采用SOT-23-3L小体积封装的N沟道增强型功率MOSFET，其关键规格定义了其应用边界
本文聚焦于性能卓越的CMF65R170DT的超结MOSFET。它不仅是元器件，更是您设计下一代高效、紧凑、可靠电源系统的核心引擎。
CMP160N10是一款N沟道增强型沟槽工艺的功率MOSFET，其设计旨在满足高功率、高频率开关应用的苛刻要求。
CMSA011N03超低内阻MOSFET应用解决方案
CMD330N15 MOSFET采用常规的TO-252与TO-251封装形式，极大地提高了客户应用场景中器件选型的兼容性。
