CMN3J332AM作为一款深度优化的U—Trench工艺硅基P沟道MOSFET，凭借其超低导通电阻、2.5V低压栅极驱动能力和紧凑的SOT-23-3L封装，成为低电压电源管理应用中不可忽视的核心元件。
CMN3621M是广东场效应半导体公司（Cmos）制造的一款P沟道功率MOSFET，其以卓越的导通电阻特性和低压驱动能力，在电源管理开关应用中占据重要地位。
CMSA150P03是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的沟槽工艺技术，可实现低导通电阻（RDS on），同时最大限度降低功耗与散热。
CMSA60P06是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的沟槽工艺技术，可实现低导通电阻（RDS on），同时最大限度降低功耗与散热。
CMN1029M 是一款 P沟道增强型功率MOSFET，-100V耐压、-1.5A电流能力配合 SOT-23-3L 封装，适合空间受限的电源管理场景。
