CMS50P03B 是一款采用沟槽栅（Trench）工艺的 P 沟道功率 MOSFET，主要面向高边开关与电源管理应用，以"驱动简单、导通损耗低"为核心优势。
CMD63P04是广东场效应半导体（Cmos）推出的高性能 P沟道增强型功率MOSFET。器件采用通用的TO-252和TO-251封装，专为高电流、低损耗的电源管理应用而设计。
CMD600N20是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的SGT工艺技术，该技术经过专门优化，可实现最高效的高频开关性能，以及极低的RDS(ON)、Ciss与Coss组合值，该器件可将导通与开关损耗均降至最低。
CMSA63P04采用先进的沟槽（Trench）MOSFET技术与低热阻 DFN-8(5×6) 贴片封装相结合，专为高电流、低损耗的电源管理应用而设计。
CMD6015是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进独特的沟槽MOSFET技术，该技术经过专门优化，可实现最高效的高频开关性能。
