CMH072N15是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的SGT 技术制造，具有优秀的RDS（ON）特性和低栅极电荷。
CMS70P06 是一款采用先进沟槽（Trench）工艺技术制造的高性能 P沟道增强型功率MOSFET，专为中低功率开关应用而设计。
MBR60200WT是一款采用TO-247封装的大功率肖特基势垒整流二极管，专为高电流、高频开关应用而设计。
CMSA008N03L 是广东场效应半导体（Cmos）SGT系列的 30V N 沟道功率 MOSFET，采用DFN-8 5×6封装技术。
CMSL30R019SD采用TOLL-8封装，将新一代超结低阻技术与低寄生电感结构完美融合，以极致性能回应高效率、高频率、高可靠的市场渴求。
