CMD63P04是广东场效应半导体（Cmos）推出的高性能 P沟道增强型功率MOSFET。器件采用通用的TO-252和TO-251封装，专为高电流、低损耗的电源管理应用而设计。
CMD600N20是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的SGT工艺技术，该技术经过专门优化，可实现最高效的高频开关性能，以及极低的RDS(ON)、Ciss与Coss组合值，该器件可将导通与开关损耗均降至最低。
CMS70P06 是一款采用先进沟槽（Trench）工艺技术制造的高性能 P沟道增强型功率MOSFET，专为中低功率开关应用而设计。
MBR60200WT是一款采用TO-247封装的大功率肖特基势垒整流二极管，专为高电流、高频开关应用而设计。
CMSA008N03L 是广东场效应半导体（Cmos）SGT系列的 30V N 沟道功率 MOSFET，采用DFN-8 5×6封装技术。
