CMB5970是一款采用TO-263封装的P沟道功率MOSFET，其-150V的额定漏源电压(VDSS)和-30A的连续漏极电流(ID)参数，标志着它在高功率控制领域占据着独特而关键的技术地位。
CMH60R078是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos），先进超结技术的功率MOSFET，具有极低的导通电阻和栅极电荷。
CMD160N10是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的SGT工艺技术和设计，具有优秀的RDS（ON）特性。
CMD20P06是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的沟槽工艺技术和设计，具有优秀的RDS（ON）特性。
CMHG65R048碳化硅功率MOSFET器件，采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的碳化硅MOSFET技术开发而成。
