CMB20P09作为一款由Cmos(场效应半导体)推出的P-Channel功率MOSFET，凭借其优异的电气特性、良好的散热性和稳健的性能，已成为众多中低压、大电流应用场景中的理想选择。
CMP030N12 是场效应半导体推出的一款N沟道增强型功率MOSFET。它采用先进的SGT技术，在实际应用中，实现了极低的导通电阻和优异的开关性能。
CMSA018DN10是构建紧凑、高效、可靠的中功率系统的得力伙伴。它通过集成化设计简化了电路，凭借卓越的电气和热性能提升了系统能效。
CMSA011N03超低内阻MOSFET应用解决方案
CMSC3812是采用Cmos先进沟槽工艺开发的一款双N沟道低压增强型场效应管,具有30V漏源电压（VDS）,常温条件下20A漏极电流（ID）,具备能瞬间抵抗高达80A的高脉冲电流冲击性。
