CMD30P10是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的沟槽工艺技术和设计，具有优秀的RDS（ON）特性。
CMB50P06是一款采用先进沟槽工艺制造的P沟道增强型MOSFET，设计用于高效率的功率开关和线性放大应用。
CMD019N04L是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的SGT工艺和技术，具有卓越的RDS（ON）性能。
P3004ND5G MOSFET采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的沟槽技术，具有优异的导通电阻RDS（on）和低栅极电荷。
CMB250N03 — 以毫欧之微，驭百安之势。
