CMSA037N03是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的SGT工艺技术，可实现低导通电阻（RDS on），同时最大限度降低功耗与散热。
CMSA3R19是集成N沟道与P沟道于单一封装之中的双增强型场效应晶体管。采用DFN-8（5×6）紧凑型封装，凭借低导通电阻、低栅极电荷以及优化的热特性，成为中低压功率转换领域的理想开关器件。
CMSA028N03是广东场效应半导体（Cmos）推出的N沟道功率MOSFET，采用DFN-8 5*6（5.05×6.15mm）紧凑封装，专为低压高电流应用场景而设计。
CMSA100P04是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的沟槽工艺技术，可实现低导通电阻（RDS on），同时最大限度降低功耗与散热。
CMSA006N03L是广东场效应半导体推出的超高功率密度MOSFET，采用先进的沟槽工艺，是一款专为大众市场应用优化的高性能功率器件。
