CMD65P02是采用Cmos先进沟槽工艺开发的一款P沟道低压增强型场效应管,具有-20V漏源电压（VDS）和-65A漏极电流（ID）（常温条件）,具有抵抗高达-260A的脉冲电流的高性能抗冲击性。
CMP107N20是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的SGT技术工艺生产，具有优秀的导通电阻RDS(ON)，是高频开关和同步整流的理想MOS，也非常适合用于电机驱动控制、电池管理、不间断电源、逆变器电源等等。
CMSL025N12是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的SGT工艺技术和设计，提供非常优秀的RDS（ON），广泛应用于负载开关、电池保护电路、UPS电源、能量逆变器电源、电机驱动等。是一款高效、可靠的优秀MOS管。
CMD30N10是采用Cmos沟槽工艺封测的一款N沟道增强型场效应晶体管。特点是，具有更低的闸间电容，拥有更优秀的开关特性，满足超高频率开关切换电路的应用。
CMSC1653是一款采用场效应半导体先进沟槽工艺开发的N沟道型MOSFET产品，其最大特点是具有卓越的优值系数（FOM）。
